總投資25億元的集成電路制造項目簽約落戶浙江嘉興
發布日期:2019-11-15        



11月7日,氮化鎵(GaN)射頻及功率器件產業化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗,嘉興科技城管委會副主任曹建弟,浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負責人出席簽約儀式。

 

該項目將新建大型規模化的GaN射頻器件與功率器件生產基地,總投資25億元,占地110畝。項目全部達產后可實現年銷售30億元以上,年稅收7000萬元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比,具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性,能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯網、軍工航天、數據中心、通信設備、智能電網及太陽能逆變器等領域。


來源:SEMI
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